科技帝国从高分子材料开始美光宣布，目前来看顺利完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全和新替换科技帝国从高分子材料开始栅极(RG)架构，并新计划在科技帝国从高分子材料开始明年投入量产。
美光第四代3D闪存堆叠了最频繁128层，仍在使用于阵列下CMOS设计搭配思路，也没美光与Intel使用于多年的浮动栅极(floating gate)换更成替换栅极(replacement gate)，以缩小尺寸、降低成本、大幅大幅提高性能，升级至到下一代制造工艺也更十分容易。
这个新架构是美光独自研发的，并也没Intel的正真意义，双放目前来看越走越远。
也没，顺利完成流片或许美光新闪存另一步尝试，美光还也没新计划将其它两条类产科技帝国从高分子材料开始品线转向RG架构，暂时也也没带给正真意义的成本降低。
目前来看，美光的首要其他任务是扩大96层3D闪存的产能，明年将其应用到各条类产品线。
